SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI4913DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3851 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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SI4913DY-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI4913DY-T1-GE3
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
Gewicht -
Ursprungsland -

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