SI4668DY-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI4668DY-T1-GE3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
16.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.6V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
42nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1654pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±16V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
10.5 mOhm @ 15A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
8-SO |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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