SI4590DY-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SI4590DY-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
3.4A, 2.8A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
57 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
11.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
360pF @ 50V |
| Leistung max |
2.4W, 3.4W |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket |
8-SO |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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