SI4505DY-T1-GE3

SI4505DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI4505DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
43847 pcs
Referenzpreis
USD 0.616/pcs
Unser Preis
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SI4505DY-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI4505DY-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V, 8V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A, 3.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
Gewicht -
Ursprungsland -

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