SI4472DY-T1-E3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI4472DY-T1-E3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
150V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
7.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
8V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
43nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1735pF @ 50V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 5A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
8-SO |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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