SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI4472DY-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SI4472DY-T1-E3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6250 pcs
Referenzpreis
USD 1.2444/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI4472DY-T1-E3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR SI4472DY-T1-E3