| Artikelnummer | SI4466DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4460-B0B-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Einzelheiten |
|
SI4460-B1B-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Einzelheiten |
|
SI4460-B1B-FMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Einzelheiten |
|
SI4460-C2A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Einzelheiten |
|
SI4460-C2A-GMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Einzelheiten |
 |
SI4461-868-DK | Silicon Labs | KIT DEV WIRELESS SI4461 868MHZ | Einzelheiten |
|
SI4461-B0B-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Einzelheiten |
|
SI4461-B1B-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Einzelheiten |
|
SI4461-B1B-FMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Einzelheiten |
|
SI4461-C2A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | Einzelheiten |
