SI4354DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SI4354DY-T1-GE3
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI4350DY-T1-E3	VISHAY	SI4350DY-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI4354DY	VISHAY	SI4354DY VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI4354DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC	Einzelheiten
SI4354DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC	Einzelheiten
SI4355-B1A-FM	Silicon Labs	IC EZRADIO FM RECEIVER SI4355	Einzelheiten
SI4355-B1A-FMR	Silicon Labs	IC EZRADIO FM RECEIVER SI4355	Einzelheiten
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SI4356-B1A-FMR	Silicon Labs	IC RCVR EZRADIO STANDALONE 20QFN	Einzelheiten