SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI4196DY-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4128 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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SI4196DY-T1-E3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI4196DY-T1-E3
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2W (Ta), 4.6W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 8A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

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