| Artikelnummer | SI4124DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3540pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 14A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
Si4122 | EXSHINE | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS | Einzelheiten |
|
Si4122-BM | EXSHINE | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS | Einzelheiten |
 |
SI4122-BT | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | Einzelheiten |
|
SI4122-BTR | Silicon | SI4122-BTR Silicon TSSOP-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
SI4122-D-GM | Silicon Labs | IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP | Einzelheiten |
|
SI4122-D-GMR | Silicon Labs | IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP | Einzelheiten |
|
SI4122-D-GT | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | Einzelheiten |
|
SI4122-D-GTR | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | Einzelheiten |
 |
SI4122-EVB | Silicon Labs | BOARD EVALUATION FOR SI4122 | Einzelheiten |
|
SI4122DY-T1-E3 | VISHAY | SI4122DY-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
