SI3529DV-T1-E3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SI3529DV-T1-E3 |
| Teilstatus |
Obsolete |
| FET Typ |
N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
2.5A, 1.95A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
125 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
205pF @ 20V |
| Leistung max |
1.4W |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket |
6-TSOP |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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