| Artikelnummer | SI3447CDV-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta), 3W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3447BDS | VISHAY | SI3447BDS VISHAY SOT23-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI3447BDV | VISHAY | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI3447BDV-T1 | VISHHY | SI3447BDV-T1 VISHHY SOT23-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI3447BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP | Einzelheiten |
|
SI3447BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP | Einzelheiten |
|
SI3447CDV | VIS | SI3447CDV VIS SOT-26 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI3447CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP | Einzelheiten |
|
SI3447CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP | Einzelheiten |
|
SI3447DV | Siliconix | SI3447DV Siliconix SOT163 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI3447DV-T1 | VISHIBA | SI3447DV-T1 VISHIBA SOT-23.. New Original Stocks | Einzelheiten |
