| Artikelnummer | SI2337DS-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI2331DS | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI2331DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 | Einzelheiten |
|
SI2331DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 | Einzelheiten |
|
SI2333 | SI | SI2333 SI SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI2333-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | Einzelheiten |
|
Si2333CDS | Vishay | Si2333CDS Vishay SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI2333CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 | Einzelheiten |
|
SI2333CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23 | Einzelheiten |
|
SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 6A SOT23 | Einzelheiten |
|
SI2333DS | VISHAY | SI2333DS VISHAY SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
