| Artikelnummer | SI2325DS-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 530mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI2320DS | Vishay | SI2320DS Vishay SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI2320DS-T1 | VISHAY | SI2320DS-T1 VISHAY SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI2320DS-T1-E3 | VISHAY | SI2320DS-T1-E3 VISHAY SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI2321-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | Einzelheiten |
|
SI2321DS | VISHAY | SI2321DS VISHAY SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI2321DS-T1 | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI2321DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 | Einzelheiten |
|
SI2321DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 | Einzelheiten |
|
SI2323CDS | VIS | SI2323CDS VIS SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 | Einzelheiten |
