SI1926DL-T1-E3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SI1926DL-T1-E3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
370mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
1.4 Ohm @ 340mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
1.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
18.5pF @ 30V |
| Leistung max |
510mW |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket |
SC-70-6 (SOT-363) |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR SI1926DL-T1-E3
