Artikelnummer | SI1913DH-T1-E3 |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 880mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 490 mOhm @ 880mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 570mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket | SC-70-6 (SOT-363) |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |