SI1308EDL-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI1308EDL-T1-GE3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
1.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
2.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
4.1nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
105pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±12V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
400mW (Ta), 500mW (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
132 mOhm @ 1.4A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-323 |
Paket / Fall |
SC-70, SOT-323 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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