SI1035X-T1-E3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI1035X-T1-E3 |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N and P-Channel |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
180mA, 145mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
400mV @ 250µA (Min) |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
0.75nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Leistung max |
250mW |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket |
SC-89-6 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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