| Artikelnummer | SE30AFB-M3/6B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1.4A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 1.5µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F | 19pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | DO-221AC |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
SE30AFB-M3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC | Einzelheiten |
|
SE30AFB-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC | Einzelheiten |
|
SE30AFBHM3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC | Einzelheiten |
|
SE30AFBHM3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC | Einzelheiten |
|
SE30AFD-M3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC | Einzelheiten |
|
SE30AFD-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC | Einzelheiten |
|
SE30AFDHM3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC | Einzelheiten |
|
SE30AFDHM3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC | Einzelheiten |
|
SE30AFG-M3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 3A DO221AC | Einzelheiten |
|
SE30AFG-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC | Einzelheiten |
