S5B-M3/9AT - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	S5B-M3/9AT
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.15V @ 5A
Geschwindigkeit	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	2.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F	40pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214AB, SMC
Lieferantengerätepaket	DO-214AB, (SMC)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
S5B-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB	Einzelheiten
S5B-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB	Einzelheiten
S5B-EH	JST Sales America Inc.	CONN HEADER EH SIDE 5POS 2.5MM	Einzelheiten
S5B-EH(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER EH SIDE 5POS 2.5MM	Einzelheiten
S5B-M3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 5A 100V DO-214AB	Einzelheiten
S5B-M3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 5A 100V DO-214AB	Einzelheiten
S5B-PH-K-S	JST Sales America Inc.	CONN HEADER PH SIDE 5POS 2MM	Einzelheiten
S5B-PH-K-S(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER PH SIDE 5POS 2MM	Einzelheiten
S5B-PH-KL(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER R/A 5POS 2MM	Einzelheiten
S5B-PH-SM3-TB	JST Sales America Inc.	CONN HEADER PH SIDE 5POS 2MM SMD	Einzelheiten