RS1B-E3/61T - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	RS1B-E3/61T
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 1A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F	10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214AC, SMA
Lieferantengerätepaket	DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RS1B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Einzelheiten
RS1B M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Einzelheiten
RS1B R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Einzelheiten
RS1B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Einzelheiten
RS1B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Einzelheiten
RS1B-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Einzelheiten
RS1B-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Einzelheiten
RS1B-M3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SW 1A 100V DO-214AC	Einzelheiten
RS1B-M3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC	Einzelheiten
RS1B-SS	STARSEA	RS1B-SS STARSEA SMA New Original Stocks	Einzelheiten