RMB4S-E3/80 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	RMB4S-E3/80
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Three Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	400V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 400mA
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 400V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-269AA, 4-BESOP
Lieferantengerätepaket	TO-269AA (MBS)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RMB4S	VISHAY	Miniature Glass Passivated Fast Recovery Surface Mount Bridge Rectifier	Einzelheiten
RMB4S RCG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1P 400V 500MA MBS	Einzelheiten
RMB4S-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE FAST .5A 400V TO-269AA	Einzelheiten
RMB4S-E3/80	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE 0.5A 400V 150NS MBS	Einzelheiten
RMB4SHRCG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1P 400V 500MA MBS	Einzelheiten