IRLR120TRR - Vishay Siliconix

Artikelnummer	IRLR120TRR
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Vgs (Max)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D-Pak
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IRLR014	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Einzelheiten
IRLR014N	IR	IRLR014N IR TO-252 New Original Stocks	Einzelheiten
IRLR014NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Einzelheiten
IRLR014NTR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Einzelheiten
IRLR014NTRL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Einzelheiten
IRLR014NTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Einzelheiten
IRLR014NTRR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Einzelheiten
IRLR014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Einzelheiten
IRLR014TR	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Einzelheiten
IRLR014TRL	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Einzelheiten