| Artikelnummer | IRL620STRR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IRL60B216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | Einzelheiten |
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IRL60HS118 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN | Einzelheiten |
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IRL60S216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | Einzelheiten |
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IRL60SL216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | Einzelheiten |
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IRL610A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220 | Einzelheiten |
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IRL620 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | Einzelheiten |
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IRL620PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | Einzelheiten |
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IRL620S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | Einzelheiten |
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IRL620SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | Einzelheiten |
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IRL620STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | Einzelheiten |
