IRFZ20PBF detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IRFZ20PBF |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
50V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
15A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
17nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
850pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
40W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
100 mOhm @ 10A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-220AB |
Paket / Fall |
TO-220-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR IRFZ20PBF