IRFSL9N60ATRR

IRFSL9N60ATRR - Vishay Siliconix

Artikelnummer
IRFSL9N60ATRR
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3703 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IRFSL9N60ATRR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRFSL9N60ATRR
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 170W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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