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| Artikelnummer | IRFR24N10D |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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IRFR010 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Einzelheiten |
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IRFR010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Einzelheiten |
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IRFR010TM | FSC | IRFR010TM FSC TO-252 New Original Stocks | Einzelheiten |
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IRFR010TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Einzelheiten |
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IRFR010TRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Einzelheiten |
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IRFR010TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Einzelheiten |
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IRFR010TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Einzelheiten |
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IRFR010TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Einzelheiten |
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IRFR014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | Einzelheiten |
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IRFR014ATM | FSC | IRFR014ATM FSC TO-252 New Original Stocks | Einzelheiten |
