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| Artikelnummer | IRFR110PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IRFR010 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Einzelheiten |
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IRFR010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | Einzelheiten |
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