IRFIB8N50K

IRFIB8N50K - Vishay Siliconix

Artikelnummer
IRFIB8N50K
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3922 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IRFIB8N50K detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRFIB8N50K
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2160pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht -
Ursprungsland -

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