| Artikelnummer | IRFD310PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 400V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 210mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paket / Fall | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
IRFD010 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP | Einzelheiten |
|
IRFD010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP | Einzelheiten |
|
IRFD014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP | Einzelheiten |
|
IRFD014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP | Einzelheiten |
 |
IRFD020 | IR | IRFD020 IR DIP-4 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRFD020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP | Einzelheiten |
|
IRFD024 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | Einzelheiten |
|
IRFD024PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | Einzelheiten |
|
IRFD110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | Einzelheiten |
|
IRFD110P | IOR | IRFD110P IOR DIP New Original Stocks | Einzelheiten |
