| Artikelnummer | IRFBC30STRR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFB11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRFB11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRFB13N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRFB13N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRFB16N50K | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRFB16N50KPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB | Einzelheiten |
 |
IRFB16N60L | VISHAY | Power MOSFET | Einzelheiten |
|
IRFB16N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB | Einzelheiten |
 |
IRFB17N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRFB17N50L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB | Einzelheiten |
