| Artikelnummer | IRF9640STRLPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF9610 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB | Einzelheiten |
 |
IRF9610L | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262 | Einzelheiten |
|
IRF9610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRF9610S | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF9610SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF9610STRL | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF9610STRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK | Einzelheiten |
 |
IRF9612 | IR | IRF9612 IR TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRF9620 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRF9620L | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262 | Einzelheiten |
