IRC730PBF - Vishay Siliconix

Artikelnummer	IRC730PBF
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	400V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	Current Sensing
Verlustleistung (Max)	74W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 3.3A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-5
Paket / Fall	TO-220-5
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IRC4BC30U	IR	IRC4BC30U IR TO New Original Stocks	Einzelheiten
IRC530PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5	Einzelheiten
IRC540PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 28A TO-220-5	Einzelheiten
IRC630	IR	IRC630 IR TO-220.. New Original Stocks	Einzelheiten
IRC630PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5	Einzelheiten
IRC634PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5	Einzelheiten
IRC640	IR	IRC640 IR TO-220.. New Original Stocks	Einzelheiten
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IRC7139	IR	IRC7139 IR QFN New Original Stocks	Einzelheiten