GBU4JL-5708M3/51 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	GBU4JL-5708M3/51
Teilstatus	Obsolete
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1V @ 4A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 600V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	4-SIP, GBU
Lieferantengerätepaket	GBU
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GBU4JL-5300E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten
GBU4JL-5300M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten
GBU4JL-5303E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten
GBU4JL-5303M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten
GBU4JL-5707E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten
GBU4JL-5707M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten
GBU4JL-5708E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten
GBU4JL-5708M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten
GBU4JL-6088E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten
GBU4JL-6088M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU	Einzelheiten