| Artikelnummer | GBL10-E3/51 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-SIP, GBL |
| Lieferantengerätepaket | GBL |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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GBL10 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL | Einzelheiten |
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GBL10 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL | Einzelheiten |
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GBL10-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL | Einzelheiten |
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GBL10-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL | Einzelheiten |
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GBL10-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL | Einzelheiten |
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GBL10-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL | Einzelheiten |
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GBL10HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL | Einzelheiten |
