| Artikelnummer | G2SBA80-E3/51 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 800V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 750mA |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-SIP, GBL |
| Lieferantengerätepaket | GBL |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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G2SBA20 | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | Einzelheiten |
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G2SBA20-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 200V GBL | Einzelheiten |
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G2SBA20-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 200V GBL | Einzelheiten |
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G2SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL | Einzelheiten |
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G2SBA20-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1.5A 200V GBL | Einzelheiten |
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G2SBA20_08 | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | Einzelheiten |
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G2SBA60 | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | Einzelheiten |
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G2SBA60-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 600V GBL | Einzelheiten |
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G2SBA60-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 600V GBL | Einzelheiten |
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G2SBA60-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1.5A 600V GBL | Einzelheiten |
