ES3A-E3/9AT - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	ES3A-E3/9AT
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	900mV @ 3A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F	45pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214AB, SMC
Lieferantengerätepaket	DO-214AB, (SMC)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
ES3A	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 50V 3A SMC	Einzelheiten
ES3A M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB	Einzelheiten
ES3A R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB	Einzelheiten
ES3A V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB	Einzelheiten
ES3A V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB	Einzelheiten
ES3A-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 3A SMC	Einzelheiten
ES3A-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 3A SMC	Einzelheiten
ES3A-E3/51T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB	Einzelheiten
ES3A-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB	Einzelheiten
ES3A-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB	Einzelheiten