EGL34A-E3/83 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	EGL34A-E3/83
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 500mA
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F	7pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-213AA (Glass)
Lieferantengerätepaket	DO-213AA (GL34)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-65°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
EGL34A	GS	EGL34A GS LL34 New Original Stocks	Einzelheiten
EGL34A-E3/83	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Einzelheiten
EGL34A-E3/98	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Einzelheiten
EGL34AHE3/83	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Einzelheiten
EGL34AHE3/98	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Einzelheiten
EGL34AHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Einzelheiten
EGL34AHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Einzelheiten
EGL34A_07	SEMIKRON	Surface mount diode Ultrafast silicon rectifier diodes	Einzelheiten
EGL34B	VISHAY	Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier	Einzelheiten
EGL34B-E3/83	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213	Einzelheiten