| Artikelnummer | B40C800G-E4/51 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 65V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 900mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 900mA |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 65V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-Circular, WOG |
| Lieferantengerätepaket | WOG |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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B40C800DM | VISHAY | Glass Passivated Ultrafast Bridge Rectifier | Einzelheiten |
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B40C800DM-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 0.9A 65V DIP | Einzelheiten |
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B40C800DM_08 | VISHAY | Glass Passivated Ultrafast Bridge Rectifier | Einzelheiten |
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B40C800G | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | Einzelheiten |
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B40C800G-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 0.9A 65V WOG | Einzelheiten |
