2N4416-E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	2N4416-E3
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS)	30V
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	5mA @ 15V
Stromabfluss (Id) - Max	-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id	3V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)	-
Leistung max	300mW
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Lieferantengerätepaket	TO-206AF (TO-72)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2N4000	CENTRAL	Small Signal Transistors	Einzelheiten
2N4001	CENTRAL	Small Signal Transistors	Einzelheiten
2N4003K	WEITRON	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	Einzelheiten
2N4012	EXSHINE	silicon transistors UHF/VHF power transistors	Einzelheiten
2N4013	Central Semiconductor Corp	TRANS NPN 30V TO-18	Einzelheiten
2N4014	Central Semiconductor Corp	TRANS NPN 50V TO-18	Einzelheiten
2N4015	Central Semiconductor Corp	TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6	Einzelheiten
2N4016	Central Semiconductor Corp	TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6	Einzelheiten
2N4021	EXSHINE	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS	Einzelheiten
2N4023	EXSHINE	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS	Einzelheiten