1N4150TR - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	1N4150TR
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	300mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1V @ 200mA
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F	2.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	DO-204AH, DO-35, Axial
Lieferantengerätepaket	DO-35
Betriebstemperatur - Kreuzung	175°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
1N4001	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Einzelheiten
1N4001 BK	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	Einzelheiten
1N4001 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	Einzelheiten
1N4001(M1)	TOS	1N4001(M1) TOS 1808L New Original Stocks	Einzelheiten
1N4001-A	DIODES	1.0A RECTIFIER	Einzelheiten
1N4001-B	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Einzelheiten
1N4001-E3/53	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Einzelheiten
1N4001-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Einzelheiten
1N4001-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Einzelheiten
1N4001-G	Comchip Technology	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Einzelheiten