VEMT4700-GS08 - Vishay Semiconductor Opto Division

Artikelnummer	VEMT4700-GS08
Teilstatus	Active
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	70V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Aktuell - Dunkel (Id) (Max)	200nA
Wellenlänge	850nm
Blickwinkel	120°
Leistung max	100mW
Befestigungsart	Surface Mount
Orientierung	Top View
Betriebstemperatur	-40°C ~ 100°C (TA)
Paket / Fall	4-SMD, J-Lead
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VEMT4700	VISHAY	Silicon NPN Phototransistor, RoHS Compliant	Einzelheiten
VEMT4700-GS08	Vishay Semiconductor Opto Division	PHOTO TRANS. SMD PLCC2 W.BASE	Einzelheiten
VEMT4700-GS18	VISHAY	Silicon NPN Phototransistor, RoHS Compliant	Einzelheiten
VEMT4700F-GS08	Vishay Semiconductor Opto Division	PHOTO TRANS. SMD PLCC3 DB FILTER	Einzelheiten