Artikelnummer | HCT802TXV |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N and P-Channel |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 90V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.1A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
Leistung max | 500mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-SMD, No Lead |
Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |