TPH3208LD detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
TPH3208LD |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
8V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.6V @ 300µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
14nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
760pF @ 400V |
Vgs (Max) |
±18V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
96W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
130 mOhm @ 13A, 8V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PQFN (8x8) |
Paket / Fall |
4-PowerDFN |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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