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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TPH3207WS
TPH3207WS

TPH3207WS - Transphorm

Artikelnummer
TPH3207WS
Hersteller
Transphorm
Kurze Beschreibung
GAN FET 650V 50A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TPH3207WS PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2005 pcs
Referenzpreis
USD 31.46/pcs
Unser Preis
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TPH3207WS detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPH3207WS
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.65V @ 700µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2197pF @ 400V
Vgs (Max) ±18V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 178W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 32A, 8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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