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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TPH3206PD
TPH3206PD

TPH3206PD - Transphorm

Artikelnummer
TPH3206PD
Hersteller
Transphorm
Kurze Beschreibung
GAN FET 600V 17A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TPH3206PD PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
487 pcs
Referenzpreis
USD 12.87/pcs
Unser Preis
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TPH3206PD detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPH3206PD
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 480V
Vgs (Max) ±18V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 96W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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