TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPN4R203NC,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
12500 pcs
Referenzpreis
USD 0.4374/pcs
Unser Preis
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TPN4R203NC,L1Q detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPN4R203NC,L1Q
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 23A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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