TPHR8504PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPHR8504PL,L1Q
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	150A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	103nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9600pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1W (Ta), 170W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	0.85 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-