TPCP8003-H(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPCP8003-H(TE85L,F
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	840mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.1A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PS-8 (2.9x2.4)
Paket / Fall	8-SMD, Flat Lead
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TPCP8001-H	TOSHIBA	TPCP8001-H TOSHIBA MLP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
TPCP8001-H(TE85LFM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8	Einzelheiten
TPCP8003-H(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8	Einzelheiten
TPCP8004(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8	Einzelheiten
TPCP8005-H	TOSHIBA	TPCP8005-H TOSHIBA PS-8 New Original Stocks	Einzelheiten
TPCP8005-H(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 11A PS-8	Einzelheiten