TPCF8304(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPCF8304(TE85L,F,M
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	72 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V
Leistung max	330mW
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket	VS-8 (2.9x1.5)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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TPCF8304(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8	Einzelheiten