TK8A60W5,S5VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK8A60W5,S5VX
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 400µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK8A60DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS	Einzelheiten
TK8A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS	Einzelheiten
TK8A60W5,S5VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS	Einzelheiten
TK8A65D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS	Einzelheiten
TK8A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS	Einzelheiten